芯高科技有限公司吴植伟获国家专利权
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龙图腾网获悉芯高科技有限公司申请的专利具有集成的和屏蔽的电感器的半导体封装获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115527997B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211112637.0,技术领域涉及:H01L23/552;该发明授权具有集成的和屏蔽的电感器的半导体封装是由吴植伟;贺观元;蔡其轩;胡天豪;苏伟杰设计研发完成,并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有集成的和屏蔽的电感器的半导体封装在说明书摘要公布了:集成电路IC封装在平面电感线圈和半导体芯片之间有一个铁氧体‑电介质屏蔽层。屏蔽层阻止由电感线圈中的电流产生的电磁干扰EMI到达半导体芯片。屏蔽层有一个铁氧体层,被上下电介质层包围,以防止电短路。电感线圈的中心端通过中心柱连接到半导体芯片,中心柱穿过屏蔽层上的开口,该开口位于电感线圈空芯中心上方。中心柱可以连接到安装半导体芯片的芯片贴装焊盘。焊线将半导体芯片上的焊盘连接到引线框架立柱上的引线框架焊盘,该立柱的末端是外部封装连接器。电感线圈的外端连接到引线框架外立柱,该外立柱也具有外部封装连接器,如引脚或焊球。
本发明授权具有集成的和屏蔽的电感器的半导体封装在权利要求书中公布了:1.一种具有集成和屏蔽的引线框架电感器的半导体封装,包括: 半导体芯片,其具有在半导体材料中形成的晶体管,并在芯片衬底上集成有集成布线; 芯片焊盘,其连接到所述集成布线并形成在所述芯片衬底的周边上; 电感线圈,其是空芯的,所述电感线圈是平面电感器,所述平面电感器基本上位于所述电感线圈的平面内,所述电感线圈的平面平行于所述半导体芯片的平面; 上铁氧体-电介质屏蔽层,其具有铁氧体层和位于所述铁氧体层上方的电介质层以及位于所述铁氧体层下方的电介质层,所述电感线圈通过所述电介质层与所述铁氧体层电隔离; 其中,所述上铁氧体-电介质屏蔽层位于平行于所述电感线圈平面和所述半导体芯片平面之间的一个平面内; 多个引线框架焊盘,其被放置在所述电感线圈的周边,并围绕着所述半导体芯片; 焊线,其将所述半导体芯片上的所述芯片焊盘连接到所述多个引线框架焊盘; 多个引线框架立柱,其将所述多个引线框架焊盘连接到封装引脚,以便与外部系统电连接; 中心柱,其连接到所述电感线圈的内端并电连接到所述半导体芯片; 引线框架外立柱,其将所述电感线圈的外端连接到封装引脚,以便与所述外部系统电连接。
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