华中科技大学王兴晟获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于忆阻器的数据选择器电路及数据选择方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115567052B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211213280.5,技术领域涉及:H03K19/173;该发明授权一种基于忆阻器的数据选择器电路及数据选择方法是由王兴晟;张晨宇;宋玉洁;缪向水设计研发完成,并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于忆阻器的数据选择器电路及数据选择方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于忆阻器的数据选择器电路及数据选择方法,属于微电子器件技术领域;其中,基于忆阻器的2选1数据选择器用于基于逻辑值s从逻辑值a和逻辑值b中选出一个数据;该数据选择器电路包括三个忆阻器和一个电阻,结构简单,电路的复杂度低,电路面积小,可扩展性强;具体地,逻辑值s以电压的形式定义在忆阻器M1和忆阻器M2的电压输入端,逻辑值a定义为忆阻器M1的阻态,逻辑值b定义为忆阻器M2的阻态,忆阻器M3的阻态作为输出;只需对忆阻器M1和忆阻器M2进行置态以及对忆阻器和电阻进行加压三步操作即可实现数据选择功能,与现有的2选1数据选择器相比,能够在较少的器件和操作步数的条件下以较高的计算效率实现数据选择运算。
本发明授权一种基于忆阻器的数据选择器电路及数据选择方法在权利要求书中公布了:1.一种基于忆阻器的2选1数据选择器,其特征在于,用于基于逻辑值s从逻辑值a和逻辑值b中选出一个数据,包括:控制器、忆阻器M1、忆阻器M2、忆阻器M3和电阻;所述忆阻器M3的初始状态为高阻态; 所述控制器分别与所述忆阻器M1、所述忆阻器M2和所述忆阻器M3的正极相连;所述忆阻器M1、所述忆阻器M2和所述忆阻器M3的负极均连接在同一条字线WL上;所述字线WL的一端悬空,另一端接地;所述电阻连接在所述字线WL上,其一端与所述字线WL的接地端相连,另一端与最靠近接地端的忆阻器的负极相连;所述忆阻器M1、所述忆阻器M2和所述忆阻器M3相同; 所述控制器用于在进行数据选择之前,将所述忆阻器M1置为逻辑值a所对应的阻态,所述忆阻器M2置为逻辑值b所对应的阻态;在进行数据选择时,对所述忆阻器M1施加电压A,对所述忆阻器M2施加电压B,对所述忆阻器M3施加电压Vp,并读取所述忆阻器M3的阻态,得到2选1数据选择的结果; 其中,所述电压A取值为2V-2Vp,所述电压B取值为-2V;当逻辑值s为0时,V取值为0;当逻辑值s为1时,V取值为Vp;Vp满足Vset2VpVset且Vp2|Vreset|;Vset为忆阻器由高阻态转变为低阻态的阈值;Vreset为忆阻器由低阻态转变为高阻态的阈值。
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