长鑫存储技术有限公司杨正杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110794771.2，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构及其形成方法是由杨正杰设计研发完成，并于2021-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含衬底以及多个第一布线；衬底具有第一区域和第二区域，衬底表面依次设置有电极层和第一绝缘层；多个第一布线设置于第一绝缘层中，并位于第一区域的邻接第二区域的边缘位置，至少一个第一布线通过至少两个第一接触窗与第一区域的电极层连接；其中，连接一个所述第一布线的所述至少两个第一接触窗的直径不完全相等。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 衬底，具有第一区域和第二区域，所述衬底表面依次设置有电极层和第一绝缘层； 多个第一布线，设置于所述第一绝缘层中，并位于所述第一区域的邻接所述第二区域的边缘位置，至少一个所述第一布线通过至少两个第一接触窗与所述第一区域的所述电极层连接； 其中，在连接一个所述第一布线的所述至少两个第一接触窗中，最靠近所述第二区域的所述第一接触窗的直径大于其余所述第一接触窗的直径。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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