长鑫存储技术有限公司王路广获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115623774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110783362.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由王路广设计研发完成，并于2021-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有多个平行间隔排布的位线；在相邻位线之间形成接触插塞，并在接触插塞的顶部形成金属硅化物层，金属硅化物层的上表面低于位线的上表面，且金属硅化物层的纵截面形状为U型；在金属硅化物层上形成接触焊盘，接触焊盘填满相邻位线之间的间隙；接触焊盘与金属硅化物层及接触插塞共同构成存储节点接触结构。本公开提供的半导体结构及其制备方法，可以降低存储节点接触结构的接触电阻，有效减小存储节点接触结构漏电的风险，以改善半导体结构的电学性能，并提高半导体结构的良率。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有多个平行间隔排布的位线； 在相邻所述位线之间形成接触插塞，并在所述接触插塞的顶部形成金属硅化物层，所述金属硅化物层的上表面低于所述位线的上表面，且所述金属硅化物层的纵截面形状为U型； 在所述金属硅化物层上形成接触焊盘，所述接触焊盘填满相邻所述位线之间的间隙；所述接触焊盘与所述金属硅化物层及所述接触插塞共同构成存储节点接触结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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