长鑫存储技术有限公司卢宗正获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110821475.7，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体结构是由卢宗正设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：沿预设方向排列的至少一层地层和至少一层电源层，以及沿预设方向延伸的过孔结构；第一保护结构以及第二保护结构，在沿环绕过孔结构侧壁的方向上，第一保护结构和第二保护结构依次环绕过孔结构侧壁设置，且第一保护结构与第二保护结构相互间隔，第一保护结构与过孔结构之间具有第一间隔，第一保护结构至少部分区域与至少一层地层电连接，第二保护结构至少部分区域与过孔结构之间具有第二间隔，且第二保护结构与至少一层电源层电连接。本申请实施例有利于优化过孔结构的回流路径和降低过孔结构和周围电路间的串扰，以提高过孔结构传递电信号的传输质量。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 沿预设方向排列的至少一层地层和至少一层电源层，以及沿所述预设方向延伸的过孔结构； 第一保护结构以及第二保护结构，在沿环绕所述过孔结构侧壁的方向上，所述第一保护结构和所述第二保护结构依次环绕所述过孔结构侧壁设置，且所述第一保护结构与所述第二保护结构相互间隔，所述第一保护结构与所述过孔结构之间具有第一间隔，所述第一保护结构至少部分区域与至少一层所述地层电连接，所述第二保护结构至少部分区域与所述过孔结构之间具有第二间隔，且所述第二保护结构与至少一层所述电源层电连接；其中，在沿环绕所述过孔结构侧壁的方向上，所述第一保护结构环绕所述过孔结构侧壁的长度与所述过孔结构侧壁的周长的比值为0.4~0.6，所述第二保护结构环绕所述过孔结构侧壁的长度与所述过孔结构侧壁的周长的比值为0.4~0.6。
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