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龙图腾网获悉富士通光器件株式会社申请的专利半导体光电检测器、接收器和集成光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210638682.3，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权半导体光电检测器、接收器和集成光器件是由下山峰史设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体光电检测器、接收器和集成光器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体光电检测器、接收器和集成光器件。所公开的半导体光电检测器包括：第一半导体层，其具有第一折射率和第一带隙；第二半导体层，其形成在第一半导体层上，第二半导体层具有第二折射率和第二带隙；第一电极；以及第二电极。第二折射率大于第一折射率，以及第二带隙小于第一带隙。第一半导体层包括：p型第一区域、n型第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的非导电第三区域。第二半导体层包括：与第一电极欧姆接触的p型第四区域、与第二电极欧姆接触的n型第五区域、以及位于第四区域和第五区域之间的非导电第六区域。

本发明授权半导体光电检测器、接收器和集成光器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体光电检测器，该半导体光电检测器包括： 第一半导体层，该第一半导体层具有第一折射率和第一带隙； 第二半导体层，该第二半导体层形成在所述第一半导体层上，所述第二半导体层具有第二折射率和第二带隙； 第一电极；以及 第二电极， 其中，所述第二折射率大于所述第一折射率，并且 所述第二带隙小于所述第一带隙， 其中， 所述第一半导体层包括： p型第一区域； n型第二区域；以及 非导电第三区域，该非导电第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间，并且 所述第二半导体层包括： p型第四区域，该p型第四区域与所述第一电极欧姆接触； n型第五区域，该n型第五区域与所述第二电极欧姆接触；以及 非导电第六区域，该非导电第六区域位于所述第四区域和所述第五区域之间，并且其中 从所述第三区域看，所述第一区域被定位更朝向第一方向， 从所述第三区域看，所述第二区域被定位更朝向与所述第一方向相反的第二方向， 从所述第六区域看，所述第四区域被定位更朝向所述第一方向， 从所述第六区域看，所述第五区域被定位更朝向所述第二方向， 在平面图中所述第三区域和所述第六区域彼此交叠，以及 所述第六区域位于所述第四区域和所述第一半导体层之间，并且位于所述第五区域和所述第一半导体层之间。

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