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龙图腾网获悉深圳市基克纳科技有限公司申请的专利一种使用数学方程式控制发热膜阻值与阻值分布的划线蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115647595B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211094553.9，技术领域涉及：B23K26/362；该发明授权一种使用数学方程式控制发热膜阻值与阻值分布的划线蚀刻方法是由胡文超;臧佳栋设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种使用数学方程式控制发热膜阻值与阻值分布的划线蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种使用数学方程式控制发热膜阻值与阻值分布的划线蚀刻方法：使用自动化激光蚀刻设备对非标准厚度的发热膜进行激光划线蚀刻，使得剩余的发热膜主体的电阻值与标准厚度的发热膜电阻值相同，剩余的发热膜主体的阻值分布符合蚀刻线的线型，激光划线蚀刻为依靠数学方程式控制蚀刻线的线型。本发明有益效果为：用激光划线蚀刻法代替传统的掩膜蚀刻法，减少了蚀刻工作量，缩短了蚀刻时间；该激光划线蚀刻法由数学方程式控制自动化激光蚀刻设备，能简单灵活的控制发热膜电阻和电阻分布，不需要调试磁控溅射设备，不需要重新制作蚀刻模板，节约生产时间和成本。

本发明授权一种使用数学方程式控制发热膜阻值与阻值分布的划线蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种使用数学方程式控制发热膜阻值与阻值分布的划线蚀刻方法，其特征在于：使用数学方程式控制自动化激光蚀刻设备对非标准厚度的发热膜进行激光划线蚀刻，所述蚀刻过程产生的蚀刻线将一部分发热膜分离主体，使得剩余的发热膜主体的电阻值与标准厚度的发热膜电阻值相同，所述数学方程式控制所述蚀刻线的线型，所述蚀刻线的线型控制剩余的发热膜主体的阻值分布，依靠数学方程式控制蚀刻线的线型包括以下步骤： 步骤1：对发热膜图形区域和蚀刻线进行数学建模，得到两段蚀刻线方程式A1、A2； 步骤1包括：将发热膜图形区域和蚀刻线在平面上投影，以发热膜图形区域为原点，以导电柱方向为X轴建立直角坐标系，所述蚀刻线在坐标系中呈X轴对称的两段抛物线，其中，设定位于X轴上方的抛物线经过-L2，d，L2，d，0，b三点，带入抛物线方程式yx＝ax2+b得到A1： 同理得到X轴下方的抛物线方程式为A2： 上两式中，L与2d为发热膜蚀刻前所呈现的矩形的长和宽，通过调整参数bn可以形成不同的抛物线，bn是抛物线与Y轴交点，b为发热膜在最窄处宽度的12； 步骤2：根据蚀刻线方程式得到蚀刻线之间的发热膜电阻公式R； 电阻计算公式为： 其中，S为发热膜蚀刻前所呈现的矩形的横截面面积；L为发热膜蚀刻前所呈现的矩形的长；t为发热膜厚度；h为发热膜蚀刻前所呈现的矩形的高；并将A1与A2带入电阻公式得到两条蚀刻线条之间的发热膜电阻为： 电极和导电柱材料的电导率和厚度大于发热膜材料，发热膜蚀刻线之间区域的电阻要远大于电极和导电柱电阻，则两个导电柱之间的电阻Rb，t可以简化为： 步骤3：根据发热膜电阻公式确定某个影响因子，该影响因子能影响具有相同形状蚀刻线但是与标准厚度不同的发热膜的电阻值； 步骤4：使用数值仿真计算拟合出该影响因子与发热膜的电阻值之间关系的方程式A3； 步骤5：依据A3确定具有相同形状蚀刻线但是与标准厚度不同的发热膜进行蚀刻时所画蚀刻线的方程式A4、A5； 步骤6：使用自动化激光蚀刻设备，在非标准厚度的发热膜上蚀刻A4、A5形状的蚀刻线，则该非标准厚度的发热膜与标准厚度的发热膜具有相同的电阻值。

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