深圳雷曼光电科技股份有限公司李漫铁获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳雷曼光电科技股份有限公司申请的专利一种用于提高通孔板气密性PCB板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115665997B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211376047.9，技术领域涉及：H05K3/00；该发明授权一种用于提高通孔板气密性PCB板及其制备方法是由李漫铁;余亮设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于提高通孔板气密性PCB板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于提高通孔板气密性PCB板及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：1对钻有通孔的基板依次进行镀铜、塞油以及覆盖干膜后得到第一基板；2在步骤1所得第一基板的通孔处制备第一镍金镀层，得到第二基板；3在步骤2所得第二基板的通孔处沉积纳米镀层，去除干膜后制备第二镍金镀层，得到所述用于提高通孔板气密性的PCB板。本发明提供的用于提高通孔板气密性PCB板通过在PCB板的通孔上沉积纳米镀层提高了高印刷线路板通孔板的气密性，避免或减少了因气密性不足等问题造成面板可靠性失效的弊端，此外还提高了通孔板的防湿性能。
本发明授权一种用于提高通孔板气密性PCB板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于提高通孔板气密性PCB板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 1对钻有通孔的基板依次进行镀铜、塞油、覆盖干膜以及干膜开孔后得到第一基板； 所述干膜开孔的位置与通孔位置相对应； 2在步骤1所得第一基板的通孔处制备第一镍金镀层，得到第二基板； 3在步骤2所得第二基板的通孔处沉积纳米镀层，去除干膜后制备第二镍金镀层，得到所述用于提高通孔板气密性的PCB板； 所述纳米镀层的制备工艺包括气相沉积工艺；所述气相沉积工艺中的真空度大于1×103mbar；所述气相沉积工艺中纳米镀层的生长温度为130~160℃。
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