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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构连接性的测试方法及其测试系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115685015B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110831423.8，技术领域涉及：G01R31/66；该发明授权半导体结构连接性的测试方法及其测试系统是由刘格言设计研发完成，并于2021-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构连接性的测试方法及其测试系统在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构连接性的测试方法及其测试系统，测试方法包括：提供半导体结构和检测晶体管，半导体结构包括具有相对的第一端和第二端的硅穿孔结构，检测晶体管具有检测栅极、第一端口和第二端口，检测栅极用于接收测试信号，第一端口用于接收工作电压，第二端口电连接第一端；获取检测晶体管的本征导电因子；检测晶体管接收测试信号导通，且向第二端提供测试电压，以使检测晶体管工作于深三极管区，并获取检测晶体管工作于深三极管区期间流经第二端的电流；基于本征导电因子、工作电压、测试电压和流经第二端的电流，获取硅穿孔结构的电阻。本申请实施例通过检测硅穿孔结构的阻值，以检测半导体结构的连接性。

本发明授权半导体结构连接性的测试方法及其测试系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构连接性的测试方法，其特征在于，包括： 提供半导体结构和检测晶体管，所述半导体结构包括具有相对的第一端和第二端的硅穿孔结构，所述检测晶体管具有检测栅极、第一端口以及第二端口，所述检测栅极用于接收测试信号，所述第一端口用于接收工作电压，所述第二端口电连接所述第一端； 获取所述检测晶体管的本征导电因子，所述本征导电因子为，所述检测晶体管工作于饱和区，且所述检测晶体管中的电流具有第一电流方向的条件下，载流子迁移率与单位面积栅氧化层的电容的乘积； 所述检测晶体管接收所述测试信号导通，且向所述第二端提供测试电压，使所述检测晶体管中的电流具有第二电流方向，所述第一电流方向与所述第二电流方向相反，以使所述检测晶体管工作于深三极管区，并获取所述检测晶体管工作于深三极管区期间流经所述第二端的电流； 基于所述本征导电因子、所述工作电压、所述测试电压以及流经所述第二端的电流，获取所述硅穿孔结构的电阻。

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