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龙图腾网获悉西安电子工程研究所申请的专利一种MOS管类型的PIN二极管器件激励电路及开关速度调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115694445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211376241.7，技术领域涉及：H03K17/041；该发明授权一种MOS管类型的PIN二极管器件激励电路及开关速度调节方法是由张小虎;白冰;云龙;冯超豪;江承财;王兵奇;王雪莉;杜龙涛;齐展锋;张思设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOS管类型的PIN二极管器件激励电路及开关速度调节方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种MOS管类型的PIN二极管器件激励电路及开关速度调节方法，适用于需要开关速度更快、激励电流大小可以灵活调节的PIN二极管器件激励场合。本发明电路包括直流供电电源、信号发生器、比较电路、反向偏置激励电路和正向偏置激励电路。采用该MOS管类型的激励电路，不仅使PIN二极管器件的开关速度更快，同时也可以灵活调节PIN二极管器件激励时的电流大小。

本发明授权一种MOS管类型的PIN二极管器件激励电路及开关速度调节方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS管类型的PIN二极管器件激励电路，其特征在于包括直流供电电源1，信号发生器2、比较电路3、反向偏置激励电路4和正向偏置激励电路5； 所述直流供电电源1分为供电正电源和供电负电源，其中，供电正电源为比较电路3提供供电正电源，同时为正向偏置激励电路5以及反向偏置激励电路4提供供电正电源；供电负电源为比较电路提供负电源，同时为正向偏置激励电路5以及反向偏置激励电路4提供供电负电源；所述信号发生器2的输出端与比较电路3中的输入端相连；所述比较电路3中的输出端分别与反向偏置激励电路4的输入端、正向偏置激励电路5的输入端相连； 所述反向偏置激励电路4由电阻R2、功率电阻R1和R3，NMOS管V1、PMOS管V2和二极管V3组成；在反向偏置激励电路4中NMOS管V1和PMOS管V2的栅极连接在一起同时与比较电路3中运放N1的输出端相连；PMOS管V2的漏极与功率电阻R1的一端相连，同时接入NMOS管V1的源极；PMOS管V2的源极与功率电阻R3的一端相连，同时接入二极管V3的正端；功率电阻R3的另外一端接入供电负电源的负端，二极管V3的负端接入供电负电源的正端然后接到地；NMOS管V1的漏极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另外一端直接接地，功率电阻R1的另外一端接入供电正电源的正端； 所述正向偏置激励电路5由电阻R7、功率电阻R6和R8，NMOS管V4、PMOS管V5和二极管V6组成；在正向偏置激励电路5中NMOS管V4和PMOS管V5的栅极连接在一起同时与比较电路3中运放N2的输出端相连；PMOS管V5的漏极与功率电阻R6的一端相连，同时接入NMOS管V4的源极；PMOS管V5的源极与功率电阻R8的一端相连，同时接入二极管V6的正端；功率电阻R8的另外一端接入供电负电源的负端，二极管V6的负端接入供电负电源的正端然后接到地；NMOS管V4的漏极与电阻R7的一端相连，电阻R7的另外一端直接接地，功率电阻R6的另外一端接入供电正电源的正端。

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