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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置以及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115708224B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210049003.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置以及其制造方法是由井野匡贵设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体部、第一至第三电极、第一以及第二控制电极。半导体部设置在第一以及第二电极之间，在第二电极侧具有第一以及第二沟槽。所述第一以及第二控制电极分别设置在第一以及第二沟槽中，第三电极被设置在第一沟槽中。第一控制电极位于第二电极与第三电极之间。在从第一控制电极朝向第二控制电极的第一方向上，在第三电极的两侧分别设有第一以及第二绝缘部，在所述第一控制电极的两侧分别设有栅极绝缘膜。将所述第一和第二绝缘部以及所述第三电极各自的所述第一方向的宽度相加而得到的第一宽度比将所述第一控制电极、所述栅极绝缘膜各自的所述第一方向的宽度相加而得到的第二宽度宽。

本发明授权半导体装置以及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体晶片形成沟槽，在所述沟槽的内部残留第一空间，并形成覆盖所述沟槽的内部的绝缘性的防蚀刻膜，通过将所述防蚀刻膜的在所述沟槽的底面上形成的部分选择性地除去，来使所述半导体晶片的一部分在所述沟槽的底面露出，通过借助所述沟槽内的所述第一空间将所述半导体晶片向所述沟槽的深度方向蚀刻，来使所述沟槽沿所述深度方向延伸，对在所述沟槽的延伸部分露出的所述半导体晶片进行各向同性蚀刻，向与所述深度方向交叉的横向扩张所述延伸部分，通过对在所述沟槽的所述延伸部分露出的所述半导体晶片进行热氧化，来在所述延伸部分的内部残留第二空间，并形成覆盖所述延伸部分的内面的第一绝缘膜，形成将所述沟槽的所述第一空间以及所述第二空间填埋的导电性部件，通过以所述导电性部件的一部分残留于所述第二空间内的方式将所述导电性部件除去，来形成作为所述导电性部件的所述一部分的嵌入电极，在所述沟槽的内部的所述导电性部件被除去后的第三空间形成绝缘部件，通过从所述沟槽的开口侧将所述绝缘部件的一部分以及所述防蚀刻膜的至少一部分除去，来在所述嵌入电极上形成包括所述绝缘部件的残余以及所述防蚀刻膜的残余的第二绝缘膜，在所述沟槽的内部的所述防蚀刻膜的所述至少一部分以及所述绝缘部件的一部分被除去后的第四空间中，在所述第二绝缘膜上形成第一控制电极，所述沟槽包括相邻的两个第一沟槽，所述第一控制电极设置于所述相邻的两个第一沟槽的内部，在所述相邻的两个第一沟槽之间的第二沟槽的内部形成第二控制电极，所述防蚀刻膜包括形成在所述半导体晶片上的第一膜、形成在所述第一膜上的第二膜、以及形成在所述第二膜上的第三膜，所述第三膜在形成了所述沟槽的所述延伸部分之后且在形成所述第一绝缘膜之前被除去，在除去所述导电性部件的过程中，所述第二膜被除去，所述第二绝缘膜包括所述第一膜的一部分。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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