中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王媛获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111016003.0，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王媛;王楠设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底包括若干相邻的第一区和第二区，第一区形成有P阱，第二区形成有N阱，且第一区包括第一接出区，第二区包括第二接出区；在基底上形成第一掩膜层，第一掩膜层暴露出第一接出区和第二接出区；刻蚀第一接出区和第二接出区的基底，在第一接出区形成第一凹槽，在第二接出区形成第二凹槽；在第一凹槽内形成第一外延层，第一外延层内具有N型离子；在第二凹槽内形成第二外延层，第二外延层内具有P型离子，第一外延层和第二外延层的材料相同。本发明实施例提供的形成方法，有利于增大工艺窗口，降低工艺难度，提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括若干相邻的第一区和第二区，所述第一区形成有P阱，所述第二区形成有N阱，且所述第一区包括第一接出区，所述第二区包括第二接出区； 在所述基底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层同时暴露出所述第一接出区和第二接出区； 刻蚀所述第一接出区和所述第二接出区的所述基底，同时在所述第一接出区形成第一凹槽，在所述第二接出区形成第二凹槽； 同时在所述第一凹槽内形成第一外延层，在所述第二凹槽内形成第二外延层，所述第一外延层内具有N型离子，所述第二外延层内具有P型离子，所述第一外延层和所述第二外延层的材料相同。
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