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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763371B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111027312.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎;张海洋设计研发完成，并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括器件单元区，器件单元区包括相邻的多个子器件区，子器件区的基底上分别形成有一个或多个堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括第一牺牲层和位于第一牺牲层上的第一沟道层，相邻子器件区之间的基底上形成有隔离墙；通过栅极开口去除第一牺牲层，形成通槽；在栅极开口和通槽露出的第一沟道层的顶面、底面和侧面形成第二沟道层，在第一沟道层的顶面和隔离墙侧壁的交界处、以及第一沟道层的底面和隔离墙侧壁的交界处，第二沟道层的端面与第一沟道层露出的隔离墙侧壁之间的夹角为锐角，与未形成有第二沟道层的方案相比，本发明提高了栅极结构对沟道层的包覆能力，进而提高了半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括分立的器件单元区，所述器件单元区包括在第一方向上相邻的多个子器件区； 多个沿第二方向延伸的沟道结构层，分别位于所述子器件区的基底上且与基底间隔设置，所述第二方向垂直于第一方向，所述沟道结构层包括一个或多个间隔设置的第一沟道层； 隔离墙，位于相邻所述子器件区之间的基底上且沿所述第二方向延伸，所述隔离墙覆盖两侧的所述沟道结构层的侧壁，所述隔离墙的顶部高于所述沟道结构层的顶部； 第二沟道层，位于所述隔离墙露出的所述第一沟道层的顶面、底面和侧面，在所述第一沟道层的顶面和隔离墙侧壁的交界处、以及所述第一沟道层的底面和隔离墙侧壁的交界处，所述第二沟道层的端面与所述第一沟道层露出的隔离墙侧壁之间的夹角为锐角，所述第二沟道层和所述第一沟道层用于构成沟道层； 栅极结构，位于所述子器件区的基底上且沿所述第一方向横跨所述沟道结构层，所述栅极结构覆盖所述子器件区的沟道结构层的顶部和侧壁，所述栅极结构包括环绕覆盖子器件区的第二沟道层的栅介质层、以及覆盖所述栅介质层的栅电极层； 源漏掺杂层，位于所述子器件区的栅极结构两侧的基底上，且覆盖所述栅极结构下方的沟道结构层的端面，相邻所述子器件区的源漏掺杂层之间通过所述隔离墙相隔离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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