上海新微半导体有限公司雷嘉成获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利一种集成电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763445B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211435807.9，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权一种集成电容器及其制备方法是由雷嘉成;许东;彭昊炆设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成电容器及其制备方法，该集成电容器包括衬底、介电层、下极板层、第一介质层、第二介质层、接触孔、焊垫及上极板层，其中，介电层覆盖衬底上表面；下极板层位于介电层上表面，在X方向下极板层的长度小于介电层的长度；第一介质层覆盖下极板层显露表面；第二介质层覆盖第一介质层上表面；接触孔位于下极板层上方的第二介质层中且底面显露出下极板层；焊垫覆盖接触孔内壁及底面并与下极板层电连接，上极板层位于下极板层上方的第二介质层的上表面，上极板层与焊垫间隔设置。本发明通过低温形成覆盖下极板层的第一介质层之后形成高温工艺的第二介质层，避免了炉管的污染下极板层有效面积变化，降低了维护炉管频率及维护成本。
本发明授权一种集成电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，于所述衬底的上表面形成介电层； 于所述介电层的上表面形成预设厚度的下极板层，所述下极板层在X方向的长度小于所述介电层在X方向上的长度； 形成覆盖所述下极板层显露表面及所述介电层显露的上表面的第一介质层，于所述第一介质层的上表面形成第二介质层，所述第一介质层通过不高于350℃的低温工艺形成，所述第二介质层通过不低于650℃的高温工艺形成； 于所述下极板层上方的所述第二介质层中形成接触孔，所述接触孔贯穿所述第二介质层及所述第一介质层以显露出所述下极板层的上表面； 形成覆盖所述接触孔内壁及底面并与所述下极板层电连接的焊垫，形成位于所述下极板层上方的所述第二介质层上表面的上极板层，所述上极板层与所述焊垫之间间隔预设距离。
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