北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所曹炜亦获国家专利权
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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种抗辐射加固的RRAM灵敏放大器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211394121.X，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权一种抗辐射加固的RRAM灵敏放大器电路是由曹炜亦;韩旭鹏;刘亚娇;钱浩;郭小星;隋成龙;宗宇;王亮;张彦龙;王勇;赵元富设计研发完成，并于2022-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗辐射加固的RRAM灵敏放大器电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗辐射加固的RRAM灵敏放大器电路，包括线性稳压电路、可调电流镜电路、可调电阻电路、比较器电路、反相器电路、锁存器电路和抗辐射加固版图结构。所述线性稳压电路向存储单元位线提供稳定的读电压，并添加限幅二极管对位线电压进行限幅；所述可调电流镜电路用于调整读电流的放大倍数；所述可调电阻电路用于电流电压转换，并调整放大电压倍数；所述锁存器电路对输入电压进行锁存并输出最终数字信号；所述抗辐射加固版图结构采用环形栅和加固的保护环。本发明设计的RRAM灵敏放大器电路负载范围大，读取速度快，具有很强的抗单粒子、总剂量辐射能力，版图布局易实现。
本发明授权一种抗辐射加固的RRAM灵敏放大器电路在权利要求书中公布了：1.一种阻变存储器灵敏放大器电路，其特征在于，包括线性稳压电路11、可调电流镜电路12、可调电阻电路13、比较器电路14、反相器电路15、锁存器电路16； 所述线性稳压电路11通过负反馈调节，将存储单元的位线电压稳定在读电压，并在位线上生成读电流作为所述可调电流镜电路12的输入； 所述可调电流镜电路12用于放大所述读电流，输出放大后的电流信号； 所述可调电阻电路13用于将所述放大后的电流信号转换为电压信号作为所述比较器电路14的正向输入； 所述比较器电路14对正向输入电压和参考电压作差，并放大差值电压，输出比较结果作为所述反相器电路15的输入； 所述反相器电路15对所述比较器电路14输出的比较结果进行整形，作为所述锁存器电路16的输入； 所述锁存器电路16将所述反相器电路15的输出电压锁存并输出数字信号作为灵敏放大器的输出。
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