中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈卓凡获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863261B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111116498.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈卓凡设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在隔离区的衬底顶部、最靠近隔离区的凸起部的侧壁、以及刻蚀停止层的顶部形成保护层；在隔离区中，在保护层的侧壁形成牺牲层；去除高于刻蚀停止层顶部的保护层和牺牲层；在隔离区的保护层顶部、以及器件单元区的第一凹槽中形成第一隔离层，第一隔离层的顶部与刻蚀停止层的顶部相齐平；去除牺牲层，在隔离区中形成由第一隔离层的侧壁、位于衬底上的保护层顶部、以及保护层的侧壁围成的开口；在开口中形成导电层，导电层的顶部低于底部鳍部的顶部。使得器件单元区中的图案密度增加，减少了半导体结构的形成面积，也降低了器件单元区中的鳍部在形成导电层的过程中受到损伤的概率。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括隔离区和器件单元区，所述器件单元区位于相邻所述隔离区之间； 底部鳍部，位于所述器件单元区中，且凸立于所述衬底的顶部； 沟道结构，位于所述底部鳍部的顶部上方； 保护层，位于所述隔离区的所述衬底顶部、以及最靠近所述隔离区的所述底部鳍部的侧壁，所述保护层包括位于所述衬底顶部的第一子保护层、以及位于所述底部鳍部侧壁的第二子保护层； 导电层，凸立于所述第一子保护层的顶部、并覆盖所述第二子保护层背向所述底部鳍部的侧壁，所述导电层的顶部低于所述第二子保护层的顶部； 第一隔离层，位于相邻所述底部鳍部之间的衬底上、以及所述导电层露出的所述第一子保护层的顶部，所述第一隔离层的顶部与所述第二子保护层的顶部相齐平； 第二隔离层，位于所述导电层的顶部，且覆盖所述导电层露出的所述第二子保护层和第一隔离层的侧壁。
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