中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司苏博获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111138938.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由苏博;于海龙设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、位于部分所述基底表面的鳍部，以及位于所述鳍部顶部表面的硬掩膜层；去除所述硬掩膜层；去除所述硬掩膜层后，采用外延生长工艺在所述鳍部表面形成第一保护层；形成所述第一保护层后，在所述衬底表面形成隔离结构层，所述隔离结构层位于部分所述鳍部侧壁，且所述隔离结构层顶部表面低于所述鳍部顶部表面。在形成第一保护层前，去除硬掩膜层，使所述鳍部表面具有均匀的第一保护层材料的外延生长点，利于提高所形成的第一保护层的均匀性，且避免了外延生长工艺中可能引入的刻蚀过程给所述鳍部带来的刻蚀损伤，从而提高了工艺窗口。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括基底、位于部分所述基底表面的鳍部，以及位于所述鳍部顶部表面的硬掩膜层； 去除所述硬掩膜层； 去除所述硬掩膜层后，采用外延生长工艺在所述鳍部表面形成第一保护层； 形成所述第一保护层后，在所述衬底表面形成隔离结构层，所述隔离结构层位于部分所述鳍部侧壁，且所述隔离结构层顶部表面低于所述鳍部顶部表面； 形成所述隔离结构层后，还对所述第一保护层表面进行氧化，形成保护材料层和位于所述保护材料层上的栅氧层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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