联合微电子中心有限责任公司吴青获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利OPC前对虚拟图形进行优化的方法及掩膜版的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115903369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211527515.8，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC前对虚拟图形进行优化的方法及掩膜版的制作方法是由吴青;彭路露;乔妍;李汪国;宁宁设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本OPC前对虚拟图形进行优化的方法及掩膜版的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种OPC前对虚拟图形进行优化的方法，包括以下步骤：提供一包括三个相互平行且沿预定方向依次并间隔设置的第一、第二及第三多晶硅图形的多晶硅层的原始设计图形；识别原始设计图形并获取第一、第二及第三多晶硅图形的尺寸信息；基于获取的第一、第二及第三多晶硅图形的尺寸信息调整第二多晶硅图形的尺寸、第一及第三多晶硅图形的位置以得到修正图形。本发明还提供一种掩膜版的制作方法，在前述优化方法基础上实现。本发明通过在OPC前对虚拟图形进行优化后得到优化图形后再进行适当校正，避免在执行完OPC后发现不理想图形后再对图形进行修复，提高操作的灵活性以及降低OPCV漏抓图形导致的风险，提高产品良率及性能稳定性。
本发明授权OPC前对虚拟图形进行优化的方法及掩膜版的制作方法在权利要求书中公布了：1.OPC前对虚拟图形进行优化的方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一多晶硅层的原始设计图形，所述原始设计图形包括三个相互平行且沿预定方向依次并间隔设置的第一多晶硅图形、第二多晶硅图形及第三多晶硅图形； 识别所述原始设计图形并获取所述第一多晶硅图形的尺寸信息、所述第二多晶硅图形的尺寸信息及所述第三多晶硅图形的尺寸信息； 在获取的所述尺寸信息中的所述第二多晶硅图形的宽度小于或者等于所述第一多晶硅图形的宽度及所述第三多晶硅图形的宽度情况下，基于获取的所述第一多晶硅图形的尺寸信息、所述第二多晶硅图形的尺寸信息及所述第三多晶硅图形的尺寸信息调整所述第二多晶硅图形的尺寸、所述第一多晶硅图形的位置及所述第三多晶硅图形的位置以得到修正图形。
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