中国科学院微电子研究所姚佳欣获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种堆叠纳米片GAA-FET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211520310.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种堆叠纳米片GAA-FET器件及其制作方法是由姚佳欣;魏延钊;张青竹;殷华湘设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种堆叠纳米片GAA-FET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠纳米片GAA‑FET器件及其制作方法，在衬底上形成第一半导体层和第二半导体层交替层叠的堆叠层；刻蚀堆叠层形成鳍；从外向内刻蚀第一半导体层两端的部分区域，在第一半导体层两端形成第二侧墙；去除第一半导体层释放纳米片沟道，第二半导体层作为沟道；横向刻蚀第二侧墙和沟道区的交叠区域形成空隙；在空隙中形成界面氧化层，以及交替层叠的第一高k介质层和第二高k介质层，直至将空隙完全填充，环绕沟道形成界面氧化层和第三高k介质层，并形成包围沟道的金属栅。形成第一高k介质层和第二高k介质层的超叠层结构，最大程度的抑制电场向源漏区和沟道的交叠区域传导，减弱交叠区域的电场强度，抑制带带隧穿漏电，避免器件关态漏电。
本发明授权一种堆叠纳米片GAA-FET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠纳米片GAA-FET器件的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成第一半导体层和第二半导体层交替层叠的堆叠层； 刻蚀所述堆叠层形成鳍，并在所述鳍上形成假栅和第一侧墙； 从外向内刻蚀所述第一半导体层两端的部分区域，在所述第一半导体层两端形成第二侧墙； 去除所述第一半导体层释放纳米片沟道，所述第二半导体层作为沟道； 横向刻蚀所述第二侧墙和所述沟道的交叠区域形成空隙； 在所述空隙中形成界面氧化层，以及交替层叠的第一高k介质层和第二高k介质层，直至将所述空隙完全填充； 环绕所述沟道形成界面氧化层和第三高k介质层，并形成包围所述沟道的金属栅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励