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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111114270.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由宓筠婕设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括，提供衬底，并在衬底上形成初始沟槽；沉积第一材料，第一材料填充初始沟槽形成初始填充层，初始填充层中形成初始间隙；采用第一工艺对第一材料进行处理；形成第一填充部，第一填充部包括第二材料，第一填充部覆盖部分初始沟槽，第一填充部的顶面被设置包括平缓的U形凹槽。在本公开中，通过破坏第一材料的内部结构，再使第一材料的内部结构重新排布形成第二材料，第一材料的内部结构重新排布的过程中，改变初始间隙的结构，使初始间隙形成结构更平缓的、体积更小的空隙，以减小填充空缺对半导体结构的导电性能的影响。

本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于， 所述半导体结构的制作方法包括： 提供衬底，并在所述衬底上形成初始沟槽； 沉积第一材料，所述第一材料填充所述初始沟槽形成初始填充层，所述初始填充层中形成初始间隙； 采用第一工艺对所述第一材料进行处理； 形成第一填充部，所述第一填充部包括第二材料，所述第一填充部覆盖部分所述初始沟槽，所述第一填充部的顶面被设置包括平缓的U形凹槽； 所述第一材料包括第一掺杂元素；所述第二材料包括第一掺杂元素和第二掺杂元素； 所述采用第一工艺对所述第一材料进行处理，包括： 向所述初始填充层中注入所述第二掺杂元素，所述第二掺杂元素在所述初始填充层中扩散，所述初始填充层形成结晶缺陷层； 退火处理所述结晶缺陷层，所述第一材料与所述第二掺杂元素重结晶形成所述第二材料，所述结晶缺陷层形成所述第二材料层，所述初始间隙形成第一间隙，以垂直于所述衬底且垂直于所述第二材料层的延伸方向的平面为纵截面，所述第一间隙在所述纵截面上的投影为圆形或类圆形结构。

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