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龙图腾网获悉深圳瑞沃微半导体科技有限公司申请的专利一种芯片的互连封装方法及芯片封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211537338.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种芯片的互连封装方法及芯片封装件是由祁山;申广;何懿德设计研发完成，并于2022-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片的互连封装方法及芯片封装件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片的互连封装方法及芯片封装件。互连封装方法用于对至少两个上下电极芯片进行封装，包括：通过增材制造方式使各个第一电极互相连接形成第一互连通路，并使第一互连通路向上延伸至第一预设平面；通过增材制造方式在第一预设平面制备第二互连通路，并使第一互连通路和第二互连通路分别向上延伸至第二预设平面；通过增材制造方式使各个第二电极分别与第二互连通路连接，并对芯片灌胶封装，得到芯片封装件。本申请通过直接在芯片的电极上生长互连线路，避免了传统焊接工艺造成焊点品质难以控制的问题，提高了产品的可靠性，可以对多个芯片批量进行封装，大幅提高了封装效率，并且免除了封装基板，降低了生产成本。

本发明授权一种芯片的互连封装方法及芯片封装件在权利要求书中公布了：1.一种芯片的互连封装方法，用于对至少两个芯片进行封装，所述芯片包括相对设置的第一电极和第二电极；其特征在于，包括： 通过增材制造方式使各个所述第一电极互相连接形成第一互连通路，并使所述第一互连通路向上延伸至第一预设平面；具体地，将各个所述芯片放置在第一载板的表面；其中，各个所述第一电极朝上；在各个所述芯片的周侧铺设第一封装胶层；通过增材制造方式在各个所述芯片和所述第一封装胶层的表面制备所述第一互连通路；其中，所述第一互连通路分别与各个所述第一电极连接；通过增材制造方式在所述第一互连通路的表面制备第一导电柱，并在所述第一导电柱的周侧铺设第二封装胶层； 通过增材制造方式在所述第一预设平面制备第二互连通路，并使所述第一互连通路和所述第二互连通路分别向上延伸至第二预设平面； 通过增材制造方式使各个所述第二电极分别与所述第二互连通路连接，并对所述芯片灌胶封装，得到芯片封装件。

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