长鑫存储技术有限公司高远皓获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310086274.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由高远皓;王春阳设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：衬底；第一介质层，覆盖所述衬底的上表面；第一导电层，至少包括第一子层，所述第一子层覆盖所述第一介质层的部分上表面；第二导电层，覆盖所述第一导电层；其中，所述第一导电层在固体中的扩散系数小于所述第二导电层在固体中的扩散系数；导电通孔，所述导电通孔从与所述衬底相对的下表面延伸至所述第一子层并暴露所述第一子层。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 第一介质层，覆盖所述衬底的上表面； 第一导电层，至少包括第一子层，所述第一子层覆盖所述第一介质层的部分上表面； 第二导电层，覆盖所述第一导电层；其中，所述第一导电层的在固体中的扩散系数小于所述第二导电层的在固体中的扩散系数； 导电通孔，所述导电通孔从与所述衬底相对的下表面延伸至所述第一子层并暴露所述第一子层； 其中，所述第一导电层用于减轻形成所述导电通孔的刻蚀工艺对所述第二导电层造成损伤。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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