浙江驰拓科技有限公司李州获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利差分存储单元、多阻态存储单元及磁性存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111196395.3，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权差分存储单元、多阻态存储单元及磁性存储器是由李州;石以诺;孟皓;冯向设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本差分存储单元、多阻态存储单元及磁性存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种差分存储单元和多阻态存储单元，均包括：自旋轨道矩产生层和两个磁性隧道结，两个磁性隧道结保持一定间隔地并列设置于自旋轨道矩产生层的同一侧表面，两个磁性隧道结的截面形状均为优弧弓形，且优弧弓形的弦的方向保持平行，其中每个磁性隧道结均包括自由层、势垒层和参考层，自由层靠近自旋轨道矩产生层，自由层和参考层均为垂直磁化。通过改变自旋轨道矩产生层中写电流的方向，可以分别实现差分存储和多阻态存储。
本发明授权差分存储单元、多阻态存储单元及磁性存储器在权利要求书中公布了：1.一种基于自旋轨道矩的多阻态存储单元，其特征在于，包括： 自旋轨道矩产生层； 两个磁性隧道结，保持一定间隔地并列设置于所述自旋轨道矩产生层的同一侧表面，两个所述磁性隧道结的截面形状均为优弧弓形，且优弧弓形的弦的方向保持平行，其中每个磁性隧道结均包括自由层、势垒层和参考层，所述自由层靠近自旋轨道矩产生层，所述自由层和所述参考层均为垂直磁化； 第五端子和第六端子，从所述自旋轨道矩产生层引出，用于在所述自旋轨道矩产生层中形成第二写电流，所述第二写电流的方向与两个所述磁性隧道结的优弧弓形的弦的方向垂直。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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