长鑫存储技术有限公司卢经文获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111194322.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法及其结构是由卢经文设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及其结构在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，半导体结构的制作方法包括：提供衬底以及位于衬底上的多个间隔的有源区以及位于相邻有源区之间的隔离结构，有源区包括多个子有源区，衬底上还具有初始位线，且子有源区与初始位线相交；图形化有源区、隔离结构以及初始位线，形成沿与衬底表面相平行的第三方向延伸的字线沟槽，字线沟槽位于子有源区内、隔离结构以及初始位线内，且剩余初始位线作为位线；形成栅介质层，栅介质层位于字线沟槽露出的子有源区表面；形成字线和绝缘结构，字线位于栅介质层上且填充字线沟槽，且绝缘结构位于字线与位线之间，至少可以优化半导体结构的制作方法的工艺流程。
本发明授权半导体结构的制作方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底以及位于所述衬底上的多个间隔的有源区以及位于相邻所述有源区之间的隔离结构，所述有源区沿与所述衬底表面相平行的第一方向延伸，且所述有源区包括沿所述第一方向排布的多个子有源区，所述衬底上还具有沿与所述衬底表面相平行的第二方向延伸的初始位线，且所述子有源区与所述初始位线相交； 图形化所述有源区、所述隔离结构以及所述初始位线，形成沿与所述衬底表面相平行的第三方向延伸的字线沟槽，所述字线沟槽位于所述子有源区内、所述隔离结构以及所述初始位线内，且剩余所述初始位线作为位线； 形成栅介质层，所述栅介质层位于所述字线沟槽露出的所述子有源区表面； 形成字线和绝缘结构，所述字线位于所述栅介质层上且填充所述字线沟槽，且所述绝缘结构位于所述字线与所述位线之间。
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