深圳市创芯微微电子有限公司夏亮获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市创芯微微电子有限公司申请的专利一种MOSFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211730269.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种MOSFET器件及其制造方法是由夏亮;朱治鼎;王蒙设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOSFET器件及其制造方法，涉及半导体集成电路制造技术领域，该MOSFET器件的制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底的表面制作包含有第一预设数量的P+柱的外延层；在所述外延层表面的栅极区域的各个所述P+柱之间制作第二预设数量的P‑柱，使得所述栅极区域的各个所述P+柱之间通过各个所述P‑柱连接；在所述外延层的表面制作栅氧化层，在所述栅氧化层表面淀积多晶硅形成多晶硅层，刻蚀所述多晶硅层；制作所述MOSFET器件的金属层，得到MOSFET器件；当MOSFET的体二极管处于反向恢复状态时，该P+柱与P‑柱交替连接的结构可以有效的抑制和缓解此处的峰值电场，从而提高抑制动态雪崩的能力。
本发明授权一种MOSFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件的制造方法，其特征在于，应用于终端区，包括： 提供一衬底； 在所述衬底的表面制作包含有第一预设数量的P+柱的N-外延层； 在所述外延层表面的栅极区域的各个所述P+柱之间制作第二预设数量的P-柱，使得所述栅极区域的各个所述P+柱之间通过各个所述P-柱连接； 在所述外延层的表面制作栅氧化层，在所述栅氧化层表面淀积多晶硅形成多晶硅层，刻蚀所述多晶硅层； 制作所述MOSFET器件的金属层，得到MOSFET器件；所述金属层位于所述MOSFET器件的表面； 所述P+柱向所述外延层内延伸的距离大于所述P-柱向所述外延层内延伸的距离；所述P+柱的上表面与所述P-柱的上表面处于同一平面。
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