华中科技大学童浩获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种原子层沉积硫系相变薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116043194B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310081156.6，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种原子层沉积硫系相变薄膜的方法是由童浩;朱荣江;缪向水;何强设计研发完成，并于2023-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种原子层沉积硫系相变薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其包括：步骤S1：将硫系前驱体分子A以脉冲注入的方式对衬底进行表面修饰，使所述衬底的表面饱和吸附一层成键的硫系修饰层；步骤S2：通入载气对表面修饰后的衬底进行吹扫，消除衬底表面未被吸附的多余的硫系前驱体分子A；步骤S3：采用原子层沉积法在吹扫后的衬底表面交替脉冲注入硫系前驱体分子A和硫系前驱体分子B，生长硫系相变薄膜。本发明通过在原子层沉积之前，利用单一的硫系前驱体分子进行脉冲注入以修饰衬底表面，可以高效制备得到高保型、无针孔硫系相变薄膜。
本发明授权一种原子层沉积硫系相变薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其特征在于，包括： 步骤S1：将硫系前驱体分子A以连续多脉冲注入的方式对衬底进行表面修饰，使所述衬底的表面饱和吸附一层成键的硫系修饰层； 步骤S2：通入载气对表面修饰后的衬底进行吹扫，消除衬底表面未被吸附的多余的硫系前驱体分子A； 步骤S3：采用原子层沉积法在吹扫后的衬底表面交替脉冲注入硫系前驱体分子A和硫系前驱体分子B，生长硫系相变薄膜； 在步骤S1中，注入300~500个脉冲周期，每个脉冲周期中硫系前驱体分子A的注入时长为300ms~1500ms，每个脉冲周期中的吹扫时长为800ms~1500ms，载气流量为300sccm~650sccm； 在步骤S3中，注入300~1000个脉冲周期，每个脉冲周期中硫系前驱体分子的注入时长为500ms~1000ms，每个脉冲周期的吹扫时长为4s~6s，载气流量为300sccm-650sccm； 在步骤S1中，选择原子层沉积中氧化性更强的硫系前驱体分子进行衬底表面修饰。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励