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龙图腾网获悉中国科学院声学研究所申请的专利一种基于乐甫波的结冰传感器件及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116068048B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111273231.6，技术领域涉及：G01N29/04；该发明授权一种基于乐甫波的结冰传感器件及系统是由王文;尹怡宁;程利娜;张玉凤;梁勇设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于乐甫波的结冰传感器件及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及结冰传感器领域，具体涉及一种基于乐甫波的结冰传感器件及系统，包括：含硅化物保护层5、PDMS微流控芯片和芯片封装围挡；其中，含硅化物保护层5刻套在所述波导层2上方，还位于所述输入换能器3和输出换能器4之间；PDMS微流控芯片的四周边缘处与所述含硅化物保护层5键合；并利用所述芯片封装围挡对所述PDMS微流控芯片进行封装；所述PDMS微流控芯片与所述芯片封装围挡共同形成PDMS储水腔6。本发明设置有PDMS储水腔6，实现了对水的储存，防止了水泄露引起电极短路；采用光刻技术，在传输路径上套刻含硅化合物薄层5，便于与PDMS储水腔6键合，以防止水泄露到周围叉指电极上。

本发明授权一种基于乐甫波的结冰传感器件及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于乐甫波的结冰传感器件，包括：压电基片1、波导层2、输入换能器3和输出换能器4、金属封装管壳7和透水膜8，其特征在于，所述一种基于乐甫波的结冰传感器件还包括：含硅化合物保护层5、PDMS微流控芯片和芯片封装围挡；其中， 所述含硅化合物保护层5刻套在所述波导层2上方，还位于所述输入换能器3和输出换能器4之间；所述含硅化合物保护层5为矩形，并且中间还设有开口； 所述PDMS微流控芯片的四周边缘处与所述含硅化合物保护层5键合；并利用所述芯片封装围挡对所述PDMS微流控芯片进行封装；所述PDMS微流控芯片与所述芯片封装围挡共同形成PDMS储水腔6；其中， 所述芯片封装围挡为由竖直隔板组成的矩形框，所述芯片封装围挡的下边缘与所述波导层2键合，所述芯片封装围挡的上边缘与所述金属封装管壳7的封装管帽连接； 所述金属封装管壳7封装管帽在PDMS储水腔6对应位置设有开口；所述透水膜8设置于所述金属封装管壳7开口处； 所述的压电基片1为绕Y方向旋转42.75°切割，且沿X方向90°传播的；所述压电基片1的材质为：36°YXLiTaO3、41°YXLiTaO3、64°YXLiTaO3或ST-90°X石英晶体； 波导层2采用SU-8、PMMA或SiO2保护层；所述波导层2的厚度为1-3%λ；其中，λ为沿声波传播方向的声波波长，λ=vf；其中，v为声表面波在所述压电基片1上的传播速度，f为与信号激励源9同频的基于乐甫波的结冰传感器件的工作频率； 所述的输入换能器3和输出换能器4均采用EWCSPUDT结构，用于降低所述基于乐甫波的结冰传感器件的插入损耗、降低所述基于乐甫波的结冰传感器件的检测下限和提供稳定性；其中，所述EWCSPUDT结构包括：若干个叉指对31和若干个反射电极32；每个所述叉指对包括两个叉指电极，所述叉指电极的宽度为18λ，且叉指电极之间间距为18λ；所述反射电极的宽度为14λ；所述反射电极32和叉指电极的厚度为1%λ~1.5%λ；所述反射电极32与其相应的叉指对31的边缘的距离为316λ；所述叉指电极和反射电极32的材料包括：金、铝或者金铝合金； 所述输入换能器3还采用了梳状结构；所述输入换能器3被周期性的抽走部分所述叉指电极形成梳状结构；所述梳状结构包括若干个组梳齿结构单元；梳齿之间填充宽度为18λ的一端接地的假指电极33，其中，λ为沿声波传播方向的声波波长，λ=vf；其中，v为声表面波在所述压电基片1上的传播速度，f为与信号激励源9同频的基于乐甫波的结冰传感器件的工作频率。

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