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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072675B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111295675.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵君红设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括器件单元区，其中形成有叠层结构，包括第一沟道层、牺牲层和第二沟道层，器件单元区两侧形成有第一预埋电源层和第二预埋电源层，基底上形成有伪栅结构；在叠层结构中最靠近第二预埋电源层的侧壁形成保护墙；形成保护墙后，去除伪栅结构两侧的叠层结构，形成第一源漏掺杂层；形成覆盖第一源漏掺杂层的第一源漏互连层，向第一预埋电源层顶部延伸并电连接；形成覆盖第一源漏互连层的隔绝层；在隔绝层上形成第二源漏掺杂层；形成覆盖第二源漏掺杂层和保护墙的第二源漏互连层，向第二预埋电源层顶部延伸并电连接。本发明降低第二源漏互连层与第一源漏掺杂层或第一源漏互连层发生短接的概率。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括用于形成自下而上依次堆叠的第一晶体管和第二晶体管的器件单元区； 预埋电源层，位于所述器件单元区在第二方向上的两侧的基底中，包括位于所述器件单元区一侧的第一预埋电源层，以及位于所述器件单元区另一侧的第二预埋电源层； 第一晶体管，位于所述器件单元区的基底上，所述第一晶体管包括沿第一方向延伸的第一沟道层、横跨所述第一沟道层且覆盖所述第一沟道层顶部和侧壁的第一栅极结构、以及位于所述第一栅极结构两侧的基底上的第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层与位于所述第一栅极结构下方的第一沟道层的端部相接触，所述第二方向垂直于所述第一方向； 第一源漏互连层，覆盖所述第一源漏掺杂层，所述第一源漏互连层还从所述第一源漏掺杂层侧部，在纵向上向相对应的所述第一预埋电源层顶部延伸，并与所述第一预埋电源层电连接； 隔绝层，位于所述第一源漏互连层的顶部； 第二晶体管，堆叠于所述第一晶体管上方，所述第二晶体管包括沿所述第一方向延伸的第二沟道层、横跨所述第二沟道层且覆盖所述第二沟道层的第二栅极结构、以及位于所述第二栅极结构两侧的隔绝层上的第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层与位于所述第二栅极结构下方的第二沟道层的端部相接触； 保护墙，位于所述第二源漏掺杂层中最靠近所述第二预埋电源层的侧壁，并向下延伸覆盖所述第一源漏掺杂层的侧壁； 第二源漏互连层，覆盖所述第二源漏掺杂层、以及所述保护墙的部分侧壁，所述第二源漏互连层还从所述保护墙侧部，在纵向上向相对应的所述第二预埋电源层顶部延伸，并与所述第二预埋电源层电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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