长鑫存储技术有限公司刘翔获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133363B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110904551.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由刘翔设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体领域，解决漏电现象严重的问题，该半导体结构包括：基底，具有若干个字线沟槽以及与各字线沟槽相邻的源漏极区域；栅极字线，位于字线沟槽内；栅极字线包括依次层叠设置的第一导电层、单导通层和第二导电层，第一导电层位于字线沟槽的底部，栅极字线在字线沟槽的侧壁上的投影与源漏极区域在字线沟槽的侧壁上的投影具有预设高度的重叠区域，当栅极字线施加电压小于预设电压时，单导通层的电阻大于预设电阻，以使第一导电层和第二导电层不导通。本发明提供的半导体结构用于增大驱动电流的同时，改善漏电现象。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，具有若干个字线沟槽以及与各所述字线沟槽相邻的源漏极区域； 栅极字线，位于所述字线沟槽内；所述栅极字线包括依次层叠设置的第一导电层、单导通层和第二导电层，所述第一导电层位于所述字线沟槽的底部，所述栅极字线在所述字线沟槽的侧壁上的投影与所述源漏极区域在所述字线沟槽的侧壁上的投影在平行于所述基底的方向上具有重叠区域； 所述单导通层为OTS选通材料层；所述第一导电层和或所述第二导电层为导电金属层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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