长鑫存储技术有限公司杨鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133365B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110907578.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的形成方法及半导体结构是由杨鹏;吴公一设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，半导体结构的形成方法包括，提供初始结构，初始结构包括衬底以及间隔设置在衬底上的位线结构；形成初始保护结构，初始保护结构至少覆盖位线结构的部分侧壁，初始保护结构在平行于位线结构的方向上具有第一高度；形成遮挡结构，遮挡结构至少覆盖初始保护结构的部分侧壁；遮挡结构为蚀刻选择层，至少部分去除被遮挡结构暴露的初始保护结构，形成具有第二高度的保护结构。在本公开中，在半导体结构的制程中，增加遮挡结构，以遮挡结构作为刻蚀选择层，通过调整刻蚀初始保护结构以及遮挡结构的刻蚀选择比实现对位线结构侧面轮廓的定义。
本发明授权半导体结构的形成方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括： 提供初始结构，所述初始结构包括衬底以及间隔设置在所述衬底上的位线结构； 形成初始保护结构，所述初始保护结构至少覆盖所述位线结构的部分侧壁，所述初始保护结构在平行于所述位线结构的方向上具有第一高度； 形成遮挡结构，所述遮挡结构至少覆盖所述初始保护结构的部分侧壁； 以所述遮挡结构为蚀刻选择层，至少部分去除被所述遮挡结构暴露的所述初始保护结构，形成具有第二高度的保护结构； 所述初始保护结构还形成在所述位线结构的顶面和所述衬底的表面，在形成所述初始保护结构之后，在形成所述遮挡结构之前，所述形成方法还包括：去除覆盖所述衬底表面的所述初始保护结构和去除所述位线结构顶面的所述初始保护结构。
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