长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110941165.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由邵光速;肖德元;邱云松;吴敏敏设计研发完成，并于2021-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括多个沿第一方向间隔排布的第一半导体柱和位线隔离沟槽；所述位线隔离沟槽沿第二方向延伸，所述第一方向垂直于所述第二方向；在所述位线隔离沟槽中形成位线隔离层；其中，所述位线隔离层与所述位线隔离沟槽之间具有一空隙，所述空隙位于所述位线隔离沟槽的底部拐角处且沿所述第二方向延伸，且所述空隙暴露出部分所述位线隔离沟槽的底部；通过所述空隙，沿所述第一方向刻蚀所述第一半导体柱，形成位线沟槽；在所述位线沟槽中形成位线。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于， 所述方法包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括多个沿第一方向间隔排布的第一半导体柱和位线隔离沟槽；所述位线隔离沟槽沿第二方向延伸，所述第一方向垂直于所述第二方向； 在所述位线隔离沟槽中形成位线隔离层；其中，所述位线隔离层与所述位线隔离沟槽之间具有一空隙，所述空隙位于所述位线隔离沟槽的底部拐角处且沿所述第二方向延伸，且所述空隙暴露出部分所述位线隔离沟槽的底部； 通过所述空隙，沿所述第一方向刻蚀所述第一半导体柱，形成位线沟槽； 在所述位线沟槽中形成位线。
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