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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133375B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110966709.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器件及其形成方法是由郭帅设计研发完成，并于2021-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器件及其形成方法，所述存储器件，包括：半导体衬底，半导体衬底中具有若干有源区，通过沿第一方向延伸的若干第一沟槽以及沿第二方向延伸的若干第二沟槽分隔开；位于所述第一沟槽底部的半导体衬底中的沿第一方向延伸的第三沟槽；位于第三沟槽两侧的半导体衬底中的位线掺杂区；位于第一沟槽和第二沟槽侧壁表面的栅介质层；填充满所述第三沟槽的第一介质层；位于第二沟槽中以及第一介质层上的第一沟槽中的金属栅极，且所述第二沟槽中的金属栅极沿第二方向断开；位于所述有源区的顶部表面的源区；位于所述半导体衬底表面上与源区连接的电容器。本发明的存储器件的存储密度得到提升。

本发明授权存储器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件的形成方法，其特征在于， 包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干有源区，所述若干有源区之间通过沿第一方向延伸的若干第一沟槽以及沿第二方向延伸的若干第二沟槽分隔开，所述第一沟槽与相应的第二沟槽连通； 在所述第一沟槽底部的半导体衬底中形成沿第一方向延伸的第三沟槽，所述第三沟槽的宽度小于所述第一沟槽底部的宽度； 通过离子注入工艺，在所述第三沟槽两侧以及第一沟槽底部的半导体衬底中形成位线掺杂区； 在所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁表面和底部表面形成栅介质层； 形成填充满所述第三沟槽的第一介质层； 在所述第二沟槽中以及第一介质层上的第一沟槽中形成金属栅极，所述金属栅极的顶部表面低于所述有源区的顶部表面； 在所述金属栅极上的第一沟槽和第二沟槽中填充第二介质层； 刻蚀所述第二沟槽中的部分金属栅极，将所述第二沟槽中的金属栅极沿第二方向断开； 在所述有源区的顶部表面形成源区； 在所述半导体衬底表面上形成与源区连接的电容器； 所述通过离子注入工艺，在所述第三沟槽两侧以及第一沟槽底部的半导体衬底中形成位线掺杂区的过程包括：在所述第三沟槽中以及有源区顶部表面上形成第四掩膜层，所述第四掩膜层中具有沿第一方向延伸且暴露出第三沟槽两侧的半导体衬底的第七开口；沿所述第七开口对第七开口底部的半导体衬底进行第一离子注入，在所述第三沟槽两侧以及第一沟槽底部的半导体衬底中形成位线掺杂区。

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