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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利柱状电容器阵列结构制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133376B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110973338.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权柱状电容器阵列结构制备方法及半导体结构是由宛强;占康澍;夏军设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本柱状电容器阵列结构制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种柱状电容器阵列结构的制备方法及半导体结构，所述制备方法在去除掩膜层之前利用光刻胶层的填充，将所述外围区域的掩膜层与所述阵列区域的掩膜层的厚度调整为相同，从而避免由于掩膜层厚度不同而对顶层支撑层的厚度产生影响，造成顶层支撑层的损失。另外，本发明制备方法还形成第三牺牲层及辅助层，以对顶层支撑层进行双重保护，防止所述顶层支撑层在后续工艺过程中被减薄，以增大顶层支撑层的支撑力度，从而进一步避免由于顶层支撑层支撑力度不够而导致柱状电容倾斜的情况发生。

本发明授权柱状电容器阵列结构制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种柱状电容器阵列结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底内设置有若干个导电垫，在所述衬底上堆叠设置有第一牺牲层、中间支撑层、第二牺牲层、顶层支撑层及掩膜层，所述衬底被划分为阵列区域及外围区域，位于所述阵列区域的掩膜层的厚度小于位于所述外围区域的掩膜层的厚度，在所述阵列区域，若干个电容孔贯穿所述掩膜层、顶层支撑层、第二牺牲层、中间支撑层及第一牺牲层，暴露出所述导电垫； 形成光刻胶层，所述光刻胶层填充所述电容孔，且覆盖所述阵列区域的掩膜层； 在所述外围区域，去除部分所述掩膜层，所述外围区域剩余的掩膜层上表面与所述阵列区域的掩膜层上表面平齐； 去除所述掩膜层表面的光刻胶层，并以所述顶层支撑层为刻蚀停止层，刻蚀所述掩膜层； 形成第三牺牲层，所述第三牺牲层覆盖所述顶层支撑层； 去除所述光刻胶层； 在所述电容孔内填充导电材料，形成下电极，所述下电极与所述导电垫电连接； 形成辅助层，所述辅助层覆盖所述第三牺牲层及所述下电极； 图案化所述辅助层、第三牺牲层及顶层支撑层，并去除所述第三牺牲层及所述第二牺牲层； 图案化所述中间支撑层，并去除所述第一牺牲层及所述辅助层； 形成介质层，所述介质层覆盖所述衬底、所述下电极、所述中间支撑层、所述顶层支撑层暴露的表面； 形成上电极，所述上电极覆盖所述介质层表面。

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