长鑫存储技术有限公司钱仕兵获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110975447.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由钱仕兵设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底，基底内具有多个间隔排布的字线，相邻字线间具有沟槽；位线接触层，位线接触层底面和沟槽底面相接触，且位线接触层在远离沟槽底面的方向上具有非平面接触部；导电层，导电层与位线接触层的非平面接触部接触连接。本申请实施例至少有利于降低包括位线接触层和导电层的位线自身的电阻，从而有利于提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底内具有多个间隔排布的字线，相邻所述字线间具有沟槽； 位线接触层，所述位线接触层底面和所述沟槽底面相接触，且所述位线接触层在远离所述沟槽底面的方向上具有非平面接触部； 导电层，所述导电层与所述位线接触层的所述非平面接触部接触连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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