长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利电容器的形成方法、电容器及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133387B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111007233.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权电容器的形成方法、电容器及半导体器件是由邵光速;郁梦康;苏星松设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器的形成方法、电容器及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种电容器的形成方法、电容器及半导体器件，其中，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括依次堆叠的基底、叠层结构、保护层、第一掩膜层和光刻层；其中，所述光刻层具有多个十字图形，且所述多个十字图形以正方密排的方式排列；基于所述光刻层图形化所述第一掩膜层，直至显露所述保护层；基于图形化后的第一掩膜层，刻蚀形成贯穿所述保护层和所述叠层结构的多个通孔，以显露所述基底；其中，在垂直于所述基底表面的方向，所述通孔的投影图形为十字图形，所述多个通孔以所述正方密排的方式排列；依次形成覆盖所述通孔内壁的第一电极层、介质层和第二电极层，以形成所述电容器。
本发明授权电容器的形成方法、电容器及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种电容器的形成方法，其特征在于， 所述方法包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括依次堆叠的基底、叠层结构、保护层、第一掩膜层和光刻层；其中，所述光刻层具有多个十字图形，且所述多个十字图形以正方密排的方式排列； 基于所述光刻层图形化所述第一掩膜层，直至显露所述保护层； 基于图形化后的第一掩膜层，刻蚀形成贯穿所述保护层和所述叠层结构的多个通孔，以显露所述基底；其中，在垂直于所述基底表面的方向，所述通孔的投影图形为十字图形，所述多个通孔以所述正方密排或六方密排的方式排列； 依次形成覆盖所述通孔内壁的第一电极层、介质层和第二电极层，以形成所述电容器； 其中，所述叠层结构通过以下步骤形成：在所述基底表面，依次沉积形成覆盖所述基底的第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层和第三支撑层，以形成所述叠层结构。
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