厦门乾照光电股份有限公司刘伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利基于厚光阻应用的光刻方法、LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116243558B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310245841.8，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权基于厚光阻应用的光刻方法、LED芯片及其制作方法是由刘伟;刘伟文;曹衍灿;邬新根;刘英策设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于厚光阻应用的光刻方法、LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于厚光阻应用的光刻方法、LED芯片及其制作方法，在厚光阻应用时，通过弱曝光减弱图形交叉点的泊松光斑影响，在避免图形失真的同时，在后续的刻蚀工艺过程中可取消SiO2金属的硬掩膜工艺，极大地降低生产成本；并通过低温固化、显影的循环操作，以改善厚光阻的均匀性及显影后线宽的均匀性。进一步地，通过铝盘作为承载盘进行ICP刻蚀使所述待刻蚀结构形成所述预设图形的设置，使用成本低、可塑性强、导热性能更高的铝材质的承载盘，可以很好地解决传统碳化硅载盘导热性能差、蚀刻速率低的问题；从而大大提高产能，有效地降低制造成本。
本发明授权基于厚光阻应用的光刻方法、LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.基于厚光阻应用的光刻方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括半导体材料层；并对所述待刻蚀结构进行刻蚀形成具有交叉口的预设图形，其中，所述刻蚀过程包括如下步骤： S01、在所述待刻蚀结构表面形成正性光刻胶层； S02、通过弱曝光作用使正性光刻胶层形成曝光区； S03、固化所述正性光刻胶层； S04、对所述正性光刻胶层进行显影，以去除所述曝光区所对应的光刻胶； S05、重复执行步骤S03至步骤S04，以形成具有均匀的预设图形的正性光刻胶层； S06、以具有均匀的预设图形的正性光刻胶层作为掩膜，通过刻蚀使所述待刻蚀结构形成所述预设图形； 其中，所述步骤S06包括：以具有均匀的预设图形的正性光刻胶层作为掩膜，通过铝盘作为承载盘进行ICP刻蚀使所述待刻蚀结构形成所述预设图形； 所述步骤S03通过降低环境温度以实现所述的固化所述正性光刻胶层。
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