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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利p型沟道GaN HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116246957B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310223425.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权p型沟道GaN HEMT器件及其制备方法是由张鹏浩;王路宇;徐敏;陈鲲;王强;潘茂林;黄海;黄自强;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本p型沟道GaN HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种p型沟道GaNHEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构的第一部分和隔离层之间形成空腔，若干层超晶格结构的第一部分包括间隔设置的N个鳍型单元，且位于空腔上方的N个鳍型单元的部分对应形成N个超晶格纳米线，栅金属分别从四周包裹每个超晶格纳米线，其中的每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的pAlGaN层、pGaN层；每层超晶格结构对应形成一导电沟道，本发明利用多个超晶格纳米线提高p型沟道GaNHEMT器件的输出电流，同时，环形栅金属分别从四周完全关断所有导电沟道，提高了p型沟道GaNHEMT器件的栅控能力及开关性能，从而实现提高p型沟道GaNHEMT器件性能的效果。

本发明授权p型沟道GaN HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种p型沟道GaNHEMT器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上沿背离衬底的方向依次外延形成缓冲层、界面层、隔离层； 在所述隔离层上外延若干层超晶格结构，每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的pAlGaN层、pGaN层； 对所述若干层超晶格结构进行选择性刻蚀，以在所述隔离层沿第一方向的两侧形成隔离台面； 对所述若干层超晶格结构的第一部分进行选择性刻蚀，以在若干层超晶格结构的第一部分沿第一方向形成N个鳍型单元，其中的N为大于或等于2的整数； 去除所述隔离层的第一部分，以在所述若干层超晶格结构的第一部分与所述界面层之间形成空腔；其中，位于所述空腔上方的所述N个鳍型单元的部分对应形成N个超晶格纳米线； 在所述若干层超晶格结构上外延形成源极与漏极，其中，所述源极与所述漏极沿所述第一方向位于所述空腔的两侧； 在所述空腔的N个栅极区域分别沉积栅介质，所述栅介质从四周包裹住对应的超晶格纳米线； 在沉积栅介质之后，分别在每个超晶格纳米线的外周沉积栅金属，所述栅金属从四周包裹住对应的所述超晶格纳米线。

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