南京大学罗文俊获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种半导体金属半导体多层异质结构提高光阴极性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116265615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310018098.2，技术领域涉及：C25B11/052；该发明授权一种半导体金属半导体多层异质结构提高光阴极性能的方法是由罗文俊;杨彦良;董洪政;罗军;邹志刚设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体金属半导体多层异质结构提高光阴极性能的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体金属半导体多层异质结构提高光阴极性能的方法，其特征在于，在p型半导体光阴极、n型半导体吸光层之间引入一层极薄的金属层，然后在光阴极表面担载催化剂，从而构成半导体金属半导体多层异质结构高性能光阴极。此方法可以应用于p‑Si、铜锌锡硫等常见的p型半导体光阴极，能够明显提升光阴极分解水产氢的性能，将太阳能转化为化学能储存起来。
本发明授权一种半导体金属半导体多层异质结构提高光阴极性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体金属半导体多层异质结构提高光阴极性能的方法，其特征在于，包括p型金字塔硅基光阴极； 所述的p型金字塔硅基光阴极包括p-Si半导体，金属Ti层、n型半导体吸光层CdS以及贵金属催化剂Pt； 采用光电沉积的方法将Pt担载在光阴极表面，作为p-SiTiCdSPt光电极，以AgAgCl为参比电极，碳棒为对电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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