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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种用于FLASH冗余修复的地址译码控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116312709B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310159799.8，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权一种用于FLASH冗余修复的地址译码控制电路是由郭宣辰;查启超;李建成;李鑫;黄哲;冯迪;王保顺设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于FLASH冗余修复的地址译码控制电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于FLASH冗余修复的地址译码控制电路，包含字线地址译码控制电路和字线冗余替换修复电路。本发明通过增加对字线地址译码器实施控制的电路结构，实现屏蔽存在缺陷存储单元的标准字线，同时利用冗余字线进行替换修复，完成修复后的存储器能够正常使用，从而显著提高FLASH存储器的成品率。

本发明授权一种用于FLASH冗余修复的地址译码控制电路在权利要求书中公布了：1.一种用于FLASH冗余修复的地址译码控制电路，其特征在于，包括：字线地址译码控制电路和字线冗余替换修复电路；字线地址译码控制电路对有缺陷存储单元的标准字线进行屏蔽，同时字线冗余替换修复电路利用冗余字线对被屏蔽的标准字线进行替换修复，完成对有缺陷存储单元的存储器的修复； 所述字线地址译码控制电路包含一个使能寄存器REG_EN、若干个地址寄存器REG_ADDR[0:i]、若干个PMOS晶体管P_0和P[0:i]、若干个锁存器LATCH_0和LATCH[0:i]、若干个反相器INV[0:i]、若干个传输门TG[0:i]和TG_N[0:i]； 所述一个使能寄存器REG_EN用于使能字线地址译码控制电路来对存在缺陷存储单元的标准字线进行屏蔽以及冗余替换；所述若干个地址寄存器REG_ADDR[0:i]用于存储一个有缺陷存储单元的标准字线的地址； 所述若干个PMOS晶体管P_0和P[0:i]、若干个锁存器LATCH_0和LATCH[0:i]用于将使能寄存器REG_EN中信号ENABLE和地址寄存器REG_ADDR[0:i]中信号ADDRESS[0:i]传送至锁存器LATCH_0和LATCH[0:i]，并锁存为反相信号out_0和out[0:i]； 所述若干个反相器INV[0:i]、传输门TG[0:i]和TG_N[0:i]用于根据信号out[0:i]控制传输门开关，将输入字线地址WLADDR[0:i]信号或其反相信号输出为A[0:i]信号。

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