电子科技大学陈飞良获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于倾角沉积的晶圆级纳米空气沟道晶体管制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166037.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权基于倾角沉积的晶圆级纳米空气沟道晶体管制备方法是由陈飞良;李沫;张健;赵海全;姜昊;杨帆;李晓旭;马培胜设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于倾角沉积的晶圆级纳米空气沟道晶体管制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于倾角沉积的晶圆级纳米空气沟道晶体管制备方法，属于半导体晶体管技术领域。该方法在衬底上形成图形台阶，利用图形台阶的自阴影遮挡效应在台阶上、下之间形成水平纳米空气沟道，通过控制图形台阶高度与倾角沉积的角度来调控所形成纳米空气沟道的尺寸，精度可达纳米级；并且倾角沉积产生的薄膜边缘是尖锐的三角形结构，利于增大场增强因子提升器件性能。该方法与半导体工艺兼容，能够实现大面积晶元级水平纳米空气沟道晶体管阵列的批量制备，而且具备良率高、工艺一致性和重复性好的优点，既适用于纳米空气沟道二极管器件的晶圆级制备，也适用于包括背栅、顶栅和侧栅在内不同结构纳米空气沟道三极管器件的晶圆级制备。
本发明授权基于倾角沉积的晶圆级纳米空气沟道晶体管制备方法在权利要求书中公布了：1.基于倾角沉积的晶圆级纳米空气沟道三极管制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1.在衬底上形成图形台阶，所述图形台阶包括从下至上依次设置的第一电极薄膜、中层纳米绝缘层、第二电极薄膜以及光刻胶； S2.采用倾角沉积栅极薄膜，利用图形台阶边缘的自阴影遮挡效应在台阶上、下之间形成水平纳米空气沟道； 通过控制所述S1中的图形台阶高度与所述S2中倾角沉积的角度来控制所形成纳米空气沟道的尺寸； S3.剥离去除图形台阶上的光刻胶与栅极薄膜； S4.去除所述图形台阶上的部分第二电极薄膜以及部分中层纳米绝缘层，露出第一电极薄膜；所述第一电极薄膜作为漏极或源极，所述第二电极薄膜作为源极或漏极，形成所需的垂直源漏的侧栅结构纳米空气沟道三极管。
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