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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种集成肖特基二极管的垂直碳化硅器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314253B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211497348.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种集成肖特基二极管的垂直碳化硅器件及制造方法是由刘杰;黄汇钦设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成肖特基二极管的垂直碳化硅器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成肖特基二极管的垂直碳化硅器件及制造方法，所述器件包括依次设置的第一导电类型碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延层、第一导电类型电流扩展层、第二导电类型基区和第一导电类型源区。所述器件还包括沟槽型栅电极和肖特基金属层，所述肖特基金属层位于所述第一导电类型电流扩展层远离所述第一导电类型碳化硅衬底的一侧，所述肖特基金属层在所述第一导电类型碳化硅衬底上的投影与所述第二导电类型基区在所述第一导电类型碳化硅衬底上的投影毗邻。通过在垂直碳化硅器件内部集成肖特基二极管结构，改善器件的反向恢复特性，同时集成结构相比可以实现更小的芯片面积。

本发明授权一种集成肖特基二极管的垂直碳化硅器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成肖特基二极管的垂直碳化硅器件，其特征在于，包括： 第一导电类型碳化硅衬底； 第一导电类型碳化硅外延层，所述第一导电类型碳化硅外延层位于所述第一导电类型碳化硅衬底的一侧； 第一导电类型电流扩展层，所述第一导电类型电流扩展层位于所述第一导电类型碳化硅外延层远离所述第一导电类型碳化硅衬底的一侧； 第二导电类型基区，所述第二导电类型基区位于所述第一导电类型电流扩展层远离所述第一导电类型碳化硅衬底的一侧； 第一导电类型源区，所述第一导电类型源区位于所述第二导电类型基区远离所述第一导电类型碳化硅衬底的一侧表面； 沟槽型栅电极，所述沟槽型栅电极位于所述第一导电类型电流扩展层远离所述第一导电类型碳化硅衬底的一侧，且所述沟槽型栅电极在所述第一导电类型碳化硅衬底上的投影与所述第一导电类型源区在所述第一导电类型碳化硅衬底上的投影不交叠； 肖特基金属层，所述肖特基金属层位于所述第一导电类型电流扩展层远离所述第一导电类型碳化硅衬底的一侧，所述肖特基金属层在所述第一导电类型碳化硅衬底上的投影与所述第二导电类型基区在所述第一导电类型碳化硅衬底上的投影毗邻，且所述肖特基金属层在所述第一导电类型碳化硅衬底上的投影与所述沟槽型栅电极在所述第一导电类型碳化硅衬底上的投影不交叠； 第一绝缘层，所述第一绝缘层至少覆盖所述沟槽型栅电极和所述肖特基金属层远离所述第一导电类型碳化硅衬底的一侧表面，且至少部分暴露所述第一导电类型源区和第二导电类型基区； 第一电极层，所述第一电极层位于所述第一绝缘层远离所述第一导电类型碳化硅衬底的一侧； 第二电极层，所述第二电极层位于所述第一导电类型碳化硅衬底远离所述第一导电类型碳化硅外延层的一侧表面。

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