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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有台面终端复合结构的金刚石基垂直肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314263B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310209944.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有台面终端复合结构的金刚石基垂直肖特基二极管是由周琦;韩阳;潘超武;陈匡黎;廖志康;杨文星;李明哲设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有台面终端复合结构的金刚石基垂直肖特基二极管在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有台面终端复合结构的金刚石基垂直肖特基二极管。其结构包括：自下而上包括阳极金属、p+重掺杂衬底、本征漂移层、介质层、阴极金属、金刚石再生长层。本发明采用复合终端结构，金属场板结构调节优化主结处的电场；在金属场板末端介质层附近引入沟槽结构，来调节优化场板末端介质层和半导体表面的电场，并将击穿点转移到金刚石的拐角处；同时，利用本征金刚石高阻特性分担电场，从而降低介质层内的电场峰值，有效缓解边缘电场集中以及介质击穿问题。

本发明授权一种具有台面终端复合结构的金刚石基垂直肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种具有台面终端复合结构的金刚石基垂直肖特基二极管，包括阳极金属01、p+型衬底02、本征漂移层03、介质层04、阴极金属05、金刚石再生长层06，其中，阳极金属01、p+型衬底02和本征漂移层03为从下至上依次层叠设置； 所述金刚石再生长层06位于本征漂移层03上表面两端靠近端面处，金刚石再生长层06的形成方式是在介质层04中刻蚀出凹槽后，在沟槽内填充非故意掺杂的本征金刚石形成，以金刚石的低k和高阻特性来分担场板末端介质层04的电场；金刚石再生长层06的两侧均与介质层04接触，金刚石再生长层06的底部与本征漂移层03接触； 所述阴极金属05位于本征漂移层03的中部上表面，并且两侧还向两端延伸，阴极金属05的形成方式是在介质层04中部刻蚀出贯穿介质层04的凹槽，以及在贯穿的凹槽两侧刻蚀出没有贯穿介质层04的凹槽，从而形成阶梯状的介质层04，阴极金属05完全覆盖贯穿的凹槽以及没有贯穿的凹槽的底部，并且还向两侧延伸至介质层04的上表面；阴极金属05和本征漂移层03、p+型衬底02构成Metal-Intrinsic-p+结构，且阴极金属05覆盖在阶梯状介质层04顶部的部分，构成金属场板结构。

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