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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314315B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310211021.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法是由王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;黄海;黄自强;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法，该器件结构包括：衬底结构，所述衬底结构包括第一衬底以及沿远离所述第一衬底的方向上依次形成于所述第一衬底上的缓冲层、GaN层；肖特基势垒二极管，所述肖特基势垒二极管包括形成于所述GaN层内的p+掺杂区和形成于所述p+掺杂区内的n+掺杂区，所述p+掺杂区与所述n+掺杂区接触形成PN结以构成所述肖特基势垒二极管；隔离层，形成于所述GaN层上，且覆盖所述p+掺杂区与所述n+掺杂区；pGaN增强型HEMT器件，形成于部分所述隔离层上；其中，所述p+掺杂区及所述n+掺杂区分别与阳极及阴极电性连接，且所述阳极与所述pGaN增强型HEMT器件的源极电性连接；所述阴极与所述pGaN增强型HEMT器件的漏极电性连接。

本发明授权基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构，其特征在于，包括： 衬底结构，所述衬底结构包括第一衬底以及沿远离所述第一衬底的方向上依次形成于所述第一衬底上的缓冲层、GaN层； 肖特基势垒二极管，所述肖特基势垒二极管包括形成于所述GaN层内的p+掺杂区和形成于所述p+掺杂区内的n+掺杂区，所述p+掺杂区与所述n+掺杂区接触形成PN结以构成所述肖特基势垒二极管； 隔离层，形成于所述GaN层上，且覆盖所述p+掺杂区与所述n+掺杂区； pGaN增强型HEMT器件，形成于部分所述隔离层上； 其中，所述p+掺杂区及所述n+掺杂区分别与阳极及阴极电性连接，且所述阳极与所述pGaN增强型HEMT器件的源极电性连接；所述阴极与所述pGaN增强型HEMT器件的漏极电性连接。

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