苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利垂直结构发光二极管及其制备方法、LED显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116438641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080106651.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权垂直结构发光二极管及其制备方法、LED显示面板是由程凯设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直结构发光二极管及其制备方法、LED显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供了一种垂直结构发光二极管及其制备方法、LED显示面板，该方法包括：在衬底上形成金属原子层，其中，衬底为n型衬底；在金属原子层上形成n型缓冲层；在n型缓冲层上形成发光结构，发光结构自下向上包括n型半导体层、有源层以及p型半导体层；在发光结构上设置p电极；在衬底的远离金属原子层的一侧设置n电极。通过采用具有导电性的n型衬底，并在其上依次形成金属原子层、n型缓冲层，能够确保具有垂直结构的器件的导电性，无需进行剥离与键合，减少了制备步骤，有效节省了垂直结构发光二极管的制备成本、提高了制备效率。
本发明授权垂直结构发光二极管及其制备方法、LED显示面板在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构发光二极管的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成金属原子层，其中，所述衬底为n型衬底，所述金属原子层为Al原子层，且所述金属原子层具有图形化结构，所述图形化结构包括连续型图形；所述金属原子层具有与所述衬底的上表面相对应的图形化结构； 在所述金属原子层上形成n型缓冲层，所述n型缓冲层的材料为三族氮化物； 在所述n型缓冲层上形成发光结构，所述发光结构自下向上包括n型半导体层、有源层以及p型半导体层； 在所述发光结构上设置p电极； 在所述衬底的远离所述金属原子层的一侧设置n电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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