福建省晋华集成电路有限公司吴冈获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116613188B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310429115.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制作方法是由吴冈;葛明茹;孔果果;何世伟;杨望沁;余永健设计研发完成，并于2023-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括源极、漏极、闸极、底电介质层、闸极电介质层、通道结构以及金属氮化物层。漏极与源极在垂直方向上堆叠设置，闸极设置在漏极与源极之间。底电介质层设置在源极与闸极之间。通道结构设置在漏极与源极之间并电性连接漏极与源极，通道结构部分设置在闸极内，并包括在水平方向上依序堆叠的通道层与绝缘层。闸极电介质层设置在通道结构与闸极之间。金属氮化物层设置在闸极电介质层与闸极之间。如此，可隔绝闸极电介质层与闸极的直接接触，改善半导体器件的操作表现。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 源极； 漏极，所述漏极与所述源极在垂直方向上堆叠设置； 闸极，在所述垂直方向上设置在所述漏极与所述源极之间； 底电介质层，在所述垂直方向上设置在所述源极与所述闸极之间； 通道结构，在所述垂直方向上设置在所述漏极与所述源极之间并电性连接所述漏极与所述源极，所述通道结构部分设置在所述闸极内，并包括在水平方向上依序堆叠的通道层与绝缘层； 闸极电介质层，在所述水平方向上设置在所述通道结构与所述闸极之间；以及 金属氮化物层，设置在所述闸极电介质层与所述闸极之间，其中，部分的所述底电介质层夹设在所述金属氮化物层与所述源极之间； 其中，所述闸极电介质层直接接触所述金属氮化物层的顶面，所述底电介质层直接接触所述金属氮化物层的底面。
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