株式会社爱发科安藤优汰获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社爱发科申请的专利氮化硅膜的成膜方法、成膜装置及氮化硅膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116802336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280013804.8，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权氮化硅膜的成膜方法、成膜装置及氮化硅膜是由安藤优汰;猪狩晃;森本直树设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化硅膜的成膜方法、成膜装置及氮化硅膜在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够通过反应性溅射形成具有较强拉伸应力的氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法。本发明的氮化硅膜的成膜方法，其中，在真空室1内将硅材质靶3和成膜对象物Sw相对配置，向真空气氛的真空室内导入含有氮气的溅射气体，对硅材质靶施加负电位，在以电性浮置状态设置的成膜对象物的表面，通过反应性溅射形成具有拉伸应力的氮化硅膜；包括下述工序：将成膜对象物设置为偏压电位的非施加状态，控制氮气相对于溅射气体的流量比例和对硅材质靶施加的电位中的至少一方，以使硅材质靶表面维持在金属模式与化合物模式之间的过渡模式，在成膜对象物表面堆积β型氮化硅。
本发明授权氮化硅膜的成膜方法、成膜装置及氮化硅膜在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅膜的成膜方法， 在真空室内将硅材质靶和成膜对象物相对配置，向真空气氛的真空室内导入含有氮气的溅射气体，对硅材质靶施加负电位，在以电性浮置状态设置的成膜对象物的表面，通过反应性溅射形成具有拉伸应力的氮化硅膜；其特征在于： 包括下述工序：将成膜对象物设置为偏压电位的非施加状态，控制氮气相对于溅射气体的流量比例和对硅材质靶施加的电位中的至少一方，以使硅材质靶表面维持在金属模式与化合物模式之间的过渡模式，在成膜对象物表面堆积β型氮化硅， 对在面对所述真空室内产生的等离子体气氛的所述成膜对象物周围配置的导电性部件施加正电位，维持偏压电位的非施加状态。
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