华南理工大学方晓明获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利基于低熔点合金氧化掺杂的相变导热薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116875977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310690902.1，技术领域涉及：C23C26/02；该发明授权基于低熔点合金氧化掺杂的相变导热薄膜及其制备方法是由方晓明;赵禺;张正国;凌子夜设计研发完成，并于2023-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于低熔点合金氧化掺杂的相变导热薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于低熔点合金氧化掺杂的相变导热薄膜及其制备方法。该相变导热薄膜由低熔点合金及原位氧化并内化的金属氧化物组成，所述低熔点合金由铟、铋和锡三种金属所形成的三元合金构成，所述金属氧化物包括氧化铟、氧化铋、氧化锡和氧化亚锡四种。本发明通过搅拌将低熔点合金与空气相界面处原位生成的金属氧化物掺杂到合金内部，利用增强的异质界面间相互作用力改善其成膜性能，并解决了相变导热薄膜相变后的熔融金属泄漏问题，同时具备远高于当前相变热界面材料的热性能，且可回收再利用，展现出良好的应用前景和商业开发价值。
本发明授权基于低熔点合金氧化掺杂的相变导热薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于低熔点合金氧化掺杂的相变导热薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将固态的低熔点合金加热至熔融状态，得到熔融低熔点合金；所述固态的低熔点合金由以下金属组成，以质量分数计：51%铟，32.5%铋，16.5%锡； 2在空气气氛中，加热并均匀搅拌步骤1所得到的熔融低熔点合金，加热温度为80～120℃，搅拌方式为机械搅拌，搅拌速率为300～1000rpm，搅拌时间为6～30分钟，得到含有原位氧化而得的金属氧化物的低熔点合金膏体；所述原位氧化而得的金属氧化物包含氧化铟、氧化铋、氧化锡和氧化亚锡四种，其在低熔点合金膏体中的总含量为1000～5000ppm； 3将步骤2得到的氧化掺杂的低熔点合金膏体均匀涂布在预热的玻璃基板上，玻璃基板预热温度为80～120℃，涂布方式为平板涂布，得到低熔点合金涂层； 4待步骤3得到的低熔点合金涂层自然冷却至室温后将其剥离，得到基于低熔点合金氧化掺杂的相变导热薄膜；所述相变导热薄膜的相变温度为60.2～60.4℃，厚度为25～400μm。
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