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龙图腾网获悉上海应用技术大学申请的专利一种宽温域润滑TiAlVAgN复合涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116926481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310837171.9，技术领域涉及：C23C14/32；该发明授权一种宽温域润滑TiAlVAgN复合涂层及其制备方法是由黄彪;张而耕;周琼;陈强;梁丹丹;彭宗言设计研发完成，并于2023-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽温域润滑TiAlVAgN复合涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种宽温域润滑TiAlVAgN复合涂层及其制备方法，该复合涂层包括依次沉积于基体1表面的TiN打底层2、TiAlN过渡层3、TiAlVN中间层4和TiAlVAgN层5，所述的复合涂层总厚度为3.5～5.5μm；该方法通过阴极电弧离子镀工艺制备复合涂层，包括清洁靶材、TiN打底层2制备、TiAlN过渡层3制备、TiAlVN中间层4制备、TiAlVAgN层5制备和真空环境保温。与现有技术相比，本发明的复合涂层韧性进一步提升，使其在保持良好耐磨性的同时能够实现常温至800℃工作环境下的润滑，应用于涂层轴承上使得涂层轴承的使用寿命得到进一步的提升。

本发明授权一种宽温域润滑TiAlVAgN复合涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽温域润滑TiAlVAgN复合涂层，其特征在于，该复合涂层包括依次沉积于基体1表面的TiN打底层2、TiAlN过渡层3、TiAlVN中间层4和TiAlVAgN层5，所述的复合涂层总厚度为3.5~5.5μm； 所述的TiN打底层2厚度为0.2~0.4μm，所述的TiAlN过渡层3厚度为0.4~0.6μm，所述的TiAlVN中间层4厚度为0.4~0.6μm，所述的TiAlVAgN层5厚度为2.5~3.9μm； 所述的宽温域润滑TiAlVAgN复合涂层由包括以下步骤的制备方法制得，该方法通过阴极电弧离子镀工艺制备复合涂层： 1清洁靶材：预抽真空，设置炉腔温度，通入惰性气体，Ti靶、AlTi靶、TiAlV靶和TiAlAg靶自清洁； 2TiN打底层2制备：控制真空度和炉腔温度，Ti靶接入电流，通入反应气体，沉积，获得TiN打底层2； 3TiAlN过渡层3制备：控制真空度和炉腔温度，AlTi靶接入电流，通入反应气体，沉积，获得TiAlN过渡层3； 4TiAlVN中间层4制备：控制真空度和炉腔温度，AlTiV靶接入电流，通入反应气体，沉积，获得TiAlVN中间层4； 5TiAlVAgN层5制备：控制真空度和炉腔温度，AlTiV靶接入电流，AlTiAg靶接入电流，通入反应气体，沉积，获得TiAlVAgN层5； 6真空环境保温：控制真空度和炉腔温度，保温； 步骤2中Ti靶电流为120~140A； 反应气体为氮气，流量为160~200sccm； 沉积偏压为-120~-100V，时间为10~15min； 步骤3中AlTi靶电流为110~130A； 反应气体为氮气，流量为120~150sccm； 沉积偏压为-100~-80V，时间为20~25min； 步骤4中AlTiV靶电流为130~150A； 反应气体为氮气，流量为120~150sccm； 沉积偏压为-110~-90V，时间为18~24min； 步骤5中AlTiV靶电流为120~140A，AlTiAg靶电流为150~180A； 反应气体为氮气，流量为180~210sccm； 沉积偏压为-120~-90V，时间为60~100min。

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