广东工业大学郑照强获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种碲掺杂的二维硒氧化铋及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117089820B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311101685.4，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种碲掺杂的二维硒氧化铋及其制备方法与应用是由郑照强;邱展雄;招瑜设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碲掺杂的二维硒氧化铋及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于二维半导体材料制备领域，具体涉及一种碲掺杂的二维硒氧化铋及其制备方法与应用。本发明以管式炉为反应设备，以硒化铋、氧化铋和碲作为原料，以氮气作为载气，以氟金云母片作为生长衬底，通过化学气相沉积法制备得到碲掺杂的二维硒氧化铋。以该方法制备的碲掺杂的二维硒氧化铋形状规则，具有超过40μm的大尺寸，可将其运用在制备光电探测器中，具有良好的光电响应性能和优良的环境稳定性。
本发明授权一种碲掺杂的二维硒氧化铋及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种碲掺杂的二维硒氧化铋的制备方法，其特征在于包含如下步骤： 1以Bi2Se3和Bi2O3作为反应源，以Te作为掺杂源，以氟金云母片作为生长衬底；然后将Bi2Se3、Bi2O3、Te和氟金云母片依次放置在石英舟上； 2将步骤1中放置有Bi2Se3、Bi2O3、Te和氟金云母片的石英舟放置在管式炉的中心恒温区，其中，Bi2O3在加热源正中心； 3打开管式炉的进气阀与出气阀，向管式炉的炉管通入气体以排尽空气杂质，其中，Bi2Se3处于气流的上游，氟金云母片处于气流的下游； 4开启管式炉的加热源，以20℃min的加热速率匀速升温至700℃，升温过程中气体流速为20~40sccm；然后700℃保温处理30min，保温过程中气体流速为95~105sccm；保温结束即开始降温，降温过程中，气体流速为20~40sccm；待管式炉温度降至90~100℃时关闭气流；得到碲掺杂的二维硒氧化铋； 步骤1所述的Bi2Se3和Bi2O3之间的距离为1cm； 步骤1所述的Bi2O3和Te之间的距离为1cm； 步骤1所述的Te与生长衬底氟金云母片之间的距离为12cm。
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