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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利芯片、制备方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117096188B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210510931.0，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权芯片、制备方法及电子设备是由张露;温雅楠;黄元琪;吴俊慷;赵智彪;许俊豪设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片、制备方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片、制备方法及电子设备。其中，在衬底上设置了至少一个沟道结构、栅极、栅氧化层以及源漏电极层。其中，通过源漏电极层形成晶体管的源极和漏极。栅氧化层实现栅极与沟道层的沟道区之间的隔离。栅极环绕沟道层的沟道区，实现栅极结构包裹沟道。并去除沟道区周围的牺牲层，保留其余区域的牺牲层。并且，通过使牺牲层包括层叠设置的至少两个半导体材料层，且至少两个半导体材料层的晶格常数不同，实现一些半导体材料层产生张应力，另一些半导体材料层产生压应力，来平衡晶格失配产生的应力作用，以避免由于晶格失配产生的应力导致的位错和翘曲。

本发明授权芯片、制备方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于，包括： 衬底； 晶体管，设置于所述衬底上； 其中，所述晶体管包括： 位于所述衬底上的至少一个沟道结构；其中，所述沟道结构包括层叠设置于所述衬底上的牺牲层和沟道层；所述沟道层的沟道区在所述衬底的正投影与所述牺牲层在所述衬底的正投影不交叠，且所述沟道层的第一区和第二区在所述衬底的正投影与所述牺牲层在所述衬底的正投影交叠，所述牺牲层包括层叠设置的至少两个半导体材料层，所述至少两个半导体材料层的晶格常数不同； 位于所述衬底上的栅电极；其中，所述栅电极环绕所述沟道层的所述沟道区； 位于所述栅电极与所述沟道层之间的栅氧化层； 位于所述衬底上的源漏电极层；其中，所述源漏电极层在所述衬底的正投影覆盖所述沟道层的第一区和第二区在所述衬底的正投影，且所述源漏电极层在所述衬底的正投影与所述栅电极在所述衬底的正投影不交叠； 其中，所述牺牲层包括的半导体材料层分为第一类半导体材料层和第二类半导体材料层； 第一类半导体材料层的晶格常数大于基准晶格常数，第二类半导体材料层的晶格常数小于所述基准晶格常数； 所述第一类半导体材料层的晶格常数与所述基准晶格常数之间具有第一常数差值； 所述第二类半导体材料层的晶格常数与所述基准晶格常数之间具有第二常数差值； 同一所述牺牲层中，所述第一常数差值的绝对值之和与所述第二常数差值的绝对值之和之间具有第一比较差值，所述第一比较差值满足第一设定差值范围； 所述基准晶格常数为所述衬底的晶格常数和所述沟道层的晶格常数中的一个。

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